《表4 三电平逆变器损耗及效率与调制度关系Tab.4 Relationship between power loss and efficiency o3-level inverter and modu
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《使用SiC开关的两电平和三电平逆变器损耗与效率分析》
表3给出了三电平损耗、效率与负载阻抗角φ的关系,其中,开关频率为100 k Hz,调制度h为0.5,电流有效值为30 A,负载阻抗角φ从-150°变化到180°。可以看到:三电平损耗和效率是关于0°对称的,且随着cosφ的减小,它的总损耗增大、效率降低;而且,二极管通态损耗随功率因数的减小而增大,MOSFET的通态损耗随功率因数的减小而减小。表4给出了三电平损耗与调制度之间的关系,其中,开关频率为100 k Hz,电流有效值为30 A,负载阻抗角为25°,调制度h从0.1变化到0.8(在此不讨论过调制的情况)。从表4可以看出,三电平总损耗随着调制度的增大而增大(开关损耗不随调制度变化而改变),而二极管的通态损耗随调制度增大而减小,MOSFET的通态损耗随调制度增大而增大。两电平与三电平的逆变器损耗类似,在此不作赘述。
图表编号 | XD0019547400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.01.25 |
作者 | 程向文、黄辉、李钙、余泓圻、王庆斌、陈岭辉 |
绘制单位 | 广东电网有限责任公司云浮供电局、广东电网有限责任公司云浮供电局、广东电网有限责任公司云浮供电局、广东电网有限责任公司云浮供电局、广东电网有限责任公司云浮供电局、广东电网有限责任公司云浮供电局 |
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