《表2 Si NTs掺杂前后TDOS贡献分布表》

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《硼、铝和镓掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响》

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从表2可知，在导带底，Si3p、Si3s对本征Si NTs及其掺杂体系的总态密度均参与了贡献，并且掺杂体系的总态密度还取决于掺杂原子的s态电子和p态电子。通过对图6的对比发现，在贡献程度上B、Al的s态电子比p态电子贡献更大，而Ga的p态电子贡献略多于s态电子。在价带顶，Si3p均参与了本征及其掺杂体系总态密度的贡献，此外，掺杂元素的p态电子对各自体系总态密度也有贡献。在价带底，Si3p、Si3s均参与了对本征Si NTs及其掺杂体系的总态密度贡献，掺杂体系总态密度还取决于其掺杂元素的s态电子，唯一不同的是Si NT?B还由少量的B2p构成。从图6还可以明显看到，Si NT?Ga的总态密度在-15.5～13.5 e V出现了杂质态，其完全由Ga3d态电子贡献。