《表2 制备不同折射率样片时所用的反应气体流量值[29]》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《PECVD技术制备光学薄膜的研究进展》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

薛俊[29]通过大量的工艺试验，研究了反应气体流量对薄膜折射率和消光系数的影响，并得到了薄膜材料k<10-4、折射率n为1.33～2.06的制备工艺参数（每组薄膜的折射率间隔小于0.02），为渐变折射率薄膜和多层光学薄膜的制备提供了基础。试验的工艺参数：射频功率为200 W、工作压强为20Pa、工作温度为300℃，反应气体流量值如表2所示，其中，L1～L4表示低折射率SiOxFy薄膜，M5～M15表示中间折射率SiOxNy薄膜，H16～H24表示高折射率SiNx薄膜，每组薄膜的折射率和消光系数如图1所示。结果表明，通过调节反应气体的气体流量比，可对薄膜的折射率进行调控，且所有工艺得到的薄膜消光系数都很低。