《表1 不同Au含量掺杂的N-TNAs》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Au负载N掺杂TiO_2纳米管阵列的制备及其性能》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

常温下对未负载Au的N-Ti纳米薄膜和不同Au负载量的Au@N-Ti纳米薄膜分别进行阳极氧化处理。其中标准电解液配比如下所示:vol%（CH2OH）2:vol%（H2O）=98∶2；wt%（NH4F）=0.27，Ti片接电源正极，铂片接电源负极，两极片间距为2cm，氧化电压为30V，氧化时间为45min。阳极氧化结束后在去离子水中简单地超声清洗，以去除其表面残留电解液，随后在烘箱中对其干燥。最后将试样置于450℃的电阻炉中，空气气氛下保温2h完成，升温速率2℃·min-1。所得到的试样依次标记为N-TNAs，10s-Au@N-TNAs、20s-Au@N-TNAs和20s-Au@N-TNAs。试样具体制备工艺参数如表1所示。