《表1 LDO性能的总结与比较》

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《一种高电源抑制比无片外电容LDO设计》

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表1为本文设计的LDO与已发表文献中LDO的性能比较，由表可知本文LDO在具有较高PSR的同时，输出噪声很低，适合为射频芯片供电，且芯片面积较小，无片外电容，有利于片上集成。