《表2 近期同类LDO性能对照表》
通过表2可以看出,这一设计的FOM与文献[7]中的近似,在同类设计中是比较好的。本设计由于ASIC面积比较小,更适合应用于前端电子学领域。
图表编号 | XD0052113700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.05.10 |
作者 | 柴军营、江晓山、张永杰、董永伟、石峰、李陆、成伟帅、冷重阳、王铮、吴伯冰 |
绘制单位 | 中国科学院高能物理研究所、中国科学院大学、中国科学院粒子天体重点实验室、都灵理工大学电子与通信学院、意大利国家核物理研究所都灵分部、中国科学院高能物理研究所、中国科学院高能物理研究所、中国科学院粒子天体重点实验室、中国科学院高能物理研究所、中国科学院粒子天体重点实验室、中国科学院高能物理研究所、中国科学院粒子天体重点实验室、中国科学院高能物理研究所、中国科学院粒子天体重点实验室、中国科学院高能物理研究所、中国科学院大学、都灵理工大学电子与通信学院、意大利国家核物理研究所都灵分部、中国科学院高能物理研究所、 |
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