《表4 GAGG:1%Ce晶体的折射率及理论透过率》
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《"Gd_3(Al,Ga)_5O_(12):Ce闪烁晶体扭曲生长、组分偏析与性能研究"》
式中，n为折射率，λ为入射波长（nm），A、B、C为GAGG:Ce晶体的特征常数[19]，A=1.9，B=–5250，C=2.15×109。通过计算得出GAGG:1%Ce晶体的折射率，结果如表4所示。
| 图表编号 | XD00211803900 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2021.02.01 |
| 作者 | 孟猛、祁强、丁栋舟、赫崇君、赵书文、万博、陈露、施俊杰、任国浩 |
| 绘制单位 | 中国科学院上海硅酸盐研究所、南京航空航天大学工业和信息化部重点实验室空间光电探测与感知实验室、南京航空航天大学航天学院、中国科学院上海硅酸盐研究所、上海理工大学材料科学与工程学院、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院海西创新研究院、南京航空航天大学工业和信息化部重点实验室空间光电探测与感知实验室、南京航空航天大学航天学院、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院海西创新研究院、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院海西创新 |
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