《表3 GAGG:Ce晶体的X射线能谱分析(EDS)成分分析数据》

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《"Gd_3(Al,Ga)_5O_(12):Ce闪烁晶体扭曲生长、组分偏析与性能研究"》

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采用扫描电镜及X射线能谱分析（EDS）表征GAGG:Ce晶体样品的微区成分以进一步验证组分偏析部位晶体杂相的类型。图8为GAGG:Ce样品在扫描电镜下的微观形貌照片。表3列出了各对应区域的EDS成分分析结果。检测结果表明，在包裹体附近的基质区域中，nGd:nAl，Ga:nO≈3:5:12，与GAGG基质中四种离子的理论比例一致。由于Ce在GAGG基质中分凝系数只有0.3左右，含量很低，因此成分分析中没有检测到Ce的含量。图8所示的灰色包裹体（取样点1）中，nGd:nAl，Ga:nO≈1:1:3。基于此，可以判定杂相为GAGP。