《表1 样品X射线光电子能谱分析结果(溅射3 min、厚度1.8 nm)》

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《原位合成SiC颗粒增强MoSi_2基复合材料的900℃长期氧化行为》

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MS、Mo SiC20、Mo SiC30氧化1000 h试样表面的X射线光电子窄扫描谱图如图2所示.由Si2p的X射线光电子能谱窄谱可见，3个样品Si2p的结合能峰几乎完全一致，其结合能都为103.8 eV（表1），对应相为SiO2，进一步分析可知其为α-石英.可见900℃下，其氧化产物发生了变化，完全不同于500℃和700℃的氧化产物[17-18]，500℃的氧化膜相组成为MoO3和非晶Si O2，700℃的氧化膜相组成仅为非晶SiO2.