《表2 不同层级存储器的理论带宽》

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《基于异构多核SoC器件的相控阵探伤仪设计》

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C66AK2H06内存系统可划分为L1P/L1D、L2、MSMC SRAM、DDR3存储四级，其中前三级为片上存储。32 k B的L1D、512 k B的L2既可以作Cache也可以作SRAM使用，视实际需要而定。不同层级存储器有不同存取带宽，依L1P/L1D、L2、MSMC SRAM、DDR3次序递减。高带宽会减小取指、数据存取的时间，从而提高整个算法的运算速度[9]。因此关键的代码和数据应尽量放在片上存储，甚至L1上。表2给出了不同层级的存储器的理论带宽。