《表2 不同刷新周期下的“固定位”错误个数》

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《重离子辐照下SDRAM存储器“固定位”错误研究》

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分别采用64 ms、32 ms、16 ms的刷新周期对SDRAM进行测试，发现刷新周期越小，“固定位”错误数量越小，但32ms与16ms刷新周期的“固定位”错误数量差距不大，推测其存在一个阈值，刷新周期小于阈值后，“固定位”错误数量将不会再随刷新周期的减小而减小。表2为这三个芯片在不同刷新周期下的“固定位”错误数量。