《表3 各体系Sn O2的电导率相关系数》

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《"双稀土元素Ce,Nd共掺杂SnO_2电性能的第一性原理研究"》

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式中，h为普朗克常量，k为波矢，E为波矢处的电子能量。本文所使用的掺杂浓度相同，故可推导得知电子迁移率与电子有效质量成反比。利用Origin软件对能带图沿G方向进行二次求导可以得到。综合（1)，（2），（3）3个公式可知电导率δi的大小与电子浓度ni成正比，与me*成反比，故可以求得各掺杂体系的电导率相关数值和相对关系，各计算数据如表3。由数据可知，掺杂后的Sn O2材料电导率均高于本征Sn O2，而共掺杂时电导率最高，该结果与前文的定性分析相一致。其中Ce元素单掺杂时的各项数值与文献[19]中得出的数值十分接近，可以验证实验计算的正确性。有文献报道：电子有效质量越小，带隙宽度越窄，验证了本文结果的正确性[20]。