《表1 BNNSs-THU表面各元素的相对质量分数》

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《夹层结构P(VDF-HFP)/BN纳米复合材料的介电性能》

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图5为BNNSs-THU的EDAX谱图。从图5可以看出，EDAX谱图中出现了C、N、Si和S的信号峰。Si元素的存在说明硅烷偶联剂成功与BNNSs表面羟基反应，而异丙基硫代异氰酸酯与氨基反应后会向BNNSs表面引入S元素。由EDAX谱图的X射线强度可获得样品表面各种元素的浓度，结果汇总在表1中。根据Si的相对质量分数及相对原子质量能够计算出BNNSs表面引入的硅烷偶联剂数量，而通过S的相对质量分数和相对原子质量能够计算出参与反应的异丙基硫代异氰酸酯的数量，由此可以计算出第三步接枝率为46.6%，与TGA计算结果接近，进一步证明硫脲基团已经成功接枝在BNNSs-THU纳米片表面。