《表3 4种概率模型的K-S检验》
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《180 nm CMOS微处理器辐照效应敏感外设及其损伤剂量的概率模型分析》
用K-S法分别检验这4种模型，检验统计量越小表示与模型符合得越好，结果如表3所示。
| 图表编号 | XD00198311300 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2021.03.15 |
| 作者 | 刘一宁、杨亚鹏、陈法国、张建岗、郭荣、梁润成 |
| 绘制单位 | 中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
