《表2 4种概率模型的参数》
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《180 nm CMOS微处理器辐照效应敏感外设及其损伤剂量的概率模型分析》
使用前述方法对4种概率模型分别估计其参数,结果如表2所示。
图表编号 | XD00198311200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.03.15 |
作者 | 刘一宁、杨亚鹏、陈法国、张建岗、郭荣、梁润成 |
绘制单位 | 中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院、中国辐射防护研究院 |
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