《表2 国内外光刻机研发情况对比（2018年数据）》

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《2020年中国集成电路产业现状回顾和新时期发展展望》

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2020年上半年，美国对华为制裁持续扩大化，新规则严格限制华为使用美国的技术、软件设计和制造半导体芯片。由于在台积电的先进工艺产线中，美国技术和设备占比较高，华为被迫结束与台积电的合作，华为海思自研So C也将面临极大阻碍。这一事件再次凸显我国在集成电路先进工艺、设备和材料、EDA工具等环节受美国制约极其严重，我国集成电路产业链最上游、最基础的环节尚不能实现自主可控，无法对我国超过万亿的集成电路市场需求提供设备材料和产能保障。尤其是，光刻机、前道量测设备、高端离子注入机、光刻胶等几个领域的突破难度极其大，主要体现在专业人才和长期研发投入都严重不足。如表2所示，全球领先的光刻机巨头ASML近十年研发费用支出超过90亿欧元（约735亿人民币），研发人员接近万人。而我国承担光刻机研制这一重大战略任务的上海微电子装备（集团）股份有限公司近十年的研发投入力度仅为6亿人民币，与ASML差距100倍以上，而国内与光刻机研发有关的专业人才总量也就千余人，不及ASML一家企业的1/10。长远看，我国长期以来通过直接购买或跟踪研仿加速弥补技术差距的窗口正在逐渐关闭，多年积累的技术空心化问题也逐步显现，我国对基础和共性技术自主掌控的迫切需求前所未有。