《表2 PEDOT薄膜的空穴迁移率》

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《PEDOT的电化学合成及其在固态染料敏化太阳能电池中的应用研究》

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PEDOT薄膜对电极的空穴迁移率是影响器件性能的一个重要因素.我们制备了ITO/PEDOT/Ag单载流子结构的器件，使两个电极与PEDOT形成欧姆接触，并测量了该结构的电流密度-电压曲线，如图3c所示.结果符合空间电荷限制电流的模型（Space charge limits current，即SCLC）[31，32].SCLC的数学表达式为:J=（9ε0εrV2μ）/（8d3），其中:ε0=8.85×10-14 C·V-1·cm-1表示真空介电常数，εr表示活性材料的相对介电常数，有机材料一般取3，d表示活性层厚度，μ表示空穴迁移率；对上式等式两边取对数:ln J=2ln V+ln（9ε0εrμ/8d3），ln J与ln V呈线性关系（如图3d），取斜率为2的曲线部分，根据截距即可计算得到PEDOT空穴迁移率.经过计算可得到PEDOT薄膜的空穴迁移率（见表2）.随着CV循环次数从10增加到30，PEDOT的空穴迁移率从0.36增加到19.26 cm2·V-1·s-1，达到最大值，继续增加CV循环次数到50，空穴迁移率降低至1.538 cm2·V-1·s-1.说明CV循环次数为30时，空穴载流子在PEDOT对电极中有最佳的传输性能.