《表7 8点位置氮化硅厚度测量数据》

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《降低大面阵CCD多晶硅刻蚀对氮化硅损伤的非均匀性》

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经过如图7所示的图形分布，刻蚀后的氮化硅剩余厚度测量数据如表6所示，从测量结果来看氮化硅损伤非均匀性降到10%左右，但器件的右上和右下两点氮化硅厚度值明显高于了初始氮化硅厚度，表明在多晶硅2、多晶硅3刻蚀过程中并没有将补长的氮化硅刻蚀掉。刻蚀过程中硅片边缘的速率低于中间区域，所以在此区域应适当控制刻蚀负载，对此进行了如图8所示的图形分布优化，在四角区域减少图形分布，得到的测量数据如表7所示，PCM图形在四角区域的减少可以提高之前位置的氮化硅刻蚀量。对比图7、图8和图6的图形分布造成的均匀性的差异在于PCM图形和器件之间的距离有差异，造成氮化硅刻蚀损伤非均匀性的差异。据此对图形进行再优化如图9所示。