《表5 8点位置氮化硅厚度测量数据》
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《降低大面阵CCD多晶硅刻蚀对氮化硅损伤的非均匀性》
为验证以上实验结果将右侧分布同左侧的图形分布，得到的实验数据如表5，均匀性达到了5.13%。
| 图表编号 | XD00193189400 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2021.02.20 |
| 作者 | 袁安波、杨修伟、何建强、向华兵、方刚 |
| 绘制单位 | 重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
