《表8 8点位置氮化硅厚度测量数据》

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《降低大面阵CCD多晶硅刻蚀对氮化硅损伤的非均匀性》

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图9所示的图形中P C M图形距离器件边缘0.5mm，距离器件足够近，同时又满足器件划片封装的要求。经过此次优化后氮化硅刻蚀损伤数据如表8，非均匀性在3.96%～5.77%，氮化硅的剩余量大于80nm，低于初始氮化硅厚度。