《表6 不同方案功率密度与重量对比》

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《GaN超高频谐振反激变换器》

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图14给出了开环状态下，2 W/20-MHz Si、2 W/30-MHz Ga N和2 W/50-MHz Ga N 3种方案满载效率随输入电压变化的特性曲线。其中30-MHz Ga N方案比20-MHz Si方案效率整体提升了1%左右。在全电压输入范围内，效率的变化小于2.5%。表6给出了3种方案的功率密度和重量对比。可以看到50-MHz方案功率密度达到39.4 W/in3，相比20-MHz方案提高了41%；重量仅为1.33 g，相比20-MHz方案减小了33%。