《表2 Pb2+-IIES对不同金属离子的电流变化率》

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《铅离子印迹电化学传感器的制备及其性能》

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选取Ag+、Cu2+、Cd2+、Ni2+、Fe3+干扰离子，采用DPV法进行试验，考察该传感器对Pb2+的选择性。配制模板2.0×10-5mol·L-1Pb2+和干扰离子浓度比分别为1∶10、1∶100的样品进行比较，考察电流变化率，结果见表2所示。由表2可见，干扰离子浓度为Pb2+浓度的10倍时，电流变化率仅为0.3%～1.7%；干扰离子浓度为Pb2+浓度的100倍时，变化率也仅为0.8%～2.3%（均<5%），干扰很小，表明该印迹传感器抗干扰能力良好，对Pb2+有较好的选择性[18]。这是由于聚吡咯膜表面氮原子的孤对电子能与Pb2+发生强烈的配位作用，当洗脱掉Pb2+后，留下与Pb2+形态匹配的印迹孔穴，能对Pb2+特异性吸附，而其他离子均与此孔穴不匹配，故吸附量很小，电流响应较弱。