《表3 腐蚀后质量损失及减薄量》

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《表面化学处理对铸造多晶硅棒表面形貌及切割性能的影响》

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按照损伤层厚度理论，硅棒表面减薄量范围应控制在7～8μm为宜。表3为腐蚀后铸造多晶硅试样的质量损失及计算出的减薄量。图1为试样采用方案4腐蚀前、后表面的形貌。可以看出，腐蚀后试样表面加工造成的线痕和凹坑被去除，形成与电池制备工艺中制绒后的相似形貌。由表3可以看出，反应温度为55℃时，方案1试样减薄量最多，但反应时间也最长；KOH溶液浓度为20%时，方案4试样减薄量最多，反应时间也最短。对比4组试验，方案4减薄效果最好，兼有反应效率高的优势。由于方案4试样减薄量为7.5μm，已可有效去除硅棒表面的损伤层，故未再继续增加反应温度或KOH溶液浓度进行试验。