《表2 不同阻挡层和钛衬底的表面粗糙度》

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《不同扩散阻挡层对柔性钛衬底CZTSSe薄膜与电池性能的影响》

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CZTSSe薄膜结晶性的改变与衬底的表面粗糙度相关。有文献报道衬底表面过大的粗糙度会产生以下问题：1）在高温沉积过程中，衬底过大的表面粗糙度会增大衬底与其上层Mo电极层以及Mo层与吸收层之间的界面面积，增加了有害元素扩散的可能性；2）衬底较大的表面突起可能会穿透Mo层和吸收层，导致短路点生成；3）产生大量的CZTSSe形核中心，导致CZTSSe晶粒尺寸变小，界面缺陷增多[11]。在钛箔上生长了不同阻挡层的样品以及钛衬底的AFM表面形貌图如图3所示，表面粗糙度列于表2。由表2可见本文所制备的阻挡层的表面粗糙度均小于钛衬底的表面粗糙度。结合表1与表2可知随着阻挡层表面粗糙度的减小，在其上层沉积的CZTSSe薄膜将具有更强的（112）择优取向与更好的结晶性。TiN阻挡层具有最低的表面粗糙度，因此在其上生长的CZTSSe薄膜的（112）择优取向和结晶性相对最强。不同阻挡层表面粗糙度数值大小规律与相对应的CZTSSe薄膜结晶性强弱规律一致。