《表1 Ga N电子迁移率公式参数Tab.1 Parameters of electron mobility for the formula》

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《GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究》


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式中:N为总掺杂浓度；T为绝对温度；Nref为1×1017cm-3；其他为拟合参数，具体如表1:只适用于掺杂浓度为1×1016～1×1018cm-3[3]。

图表编号XD0016829400    严禁用于非法目的
绘制时间2018.12.05
作者代鲲鹏、张凯、林罡
绘制单位南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室、南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室、南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
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