《表1 不同煅烧温度下SmxSi1-xC表征结果Tab.1 Characterization of SmxSi1-xC at different calcination temperatures》

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《以沉淀白炭黑为硅源合成钐掺杂碳化硅的研究》

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图1是Sm/Si摩尔比为0.03时不同煅烧温度下所制备样品的XRD谱。从图1可以看到所有样品的XRD谱基本一致，与PDF卡片（PDF#73-1708）对照，发现生成的产物为β-SiC。表1列出了对图1谱图进行精修后得到的晶胞参数a。从表1可以看到，Sm/Si摩尔比为0.03时，随着煅烧温度的升高，晶胞参数a依次减小，这表明Sm确实进入了晶格，而且随着温度的升高，进入碳化硅晶格的Sm原子增多，导致碳化硅粉体的结晶度变差，粒径变小。表1中还列出了不同煅烧温度下所制备Sm掺杂碳化硅样品的氮吸附比表面积（Sbet）测试结果。总体上，所制备SmxSi1-xC样品具有较大比表面积，Sbet的最小值也接近81 m2/g，具备了用作光催化剂的潜质。从变化规律看，随着煅烧温度升高，比表面积渐次增大，与前述SmxSi1-xC晶粒结晶度变化规律一致。