《表1 不同TMAH腐蚀时间下倒棱台和微柱几何参数Tab.1 Geometrical parameters of truncated pyramid and micro-tip as a functi

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《电化学湿法腐蚀法制备硅微柱阵列》

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注:M1=按图2测量的微柱M大小，M2=槡2 L2-dave为微柱M理论大小。

根据孔的生长模型，在刻蚀过程中，孔的大小和位置受到掩膜开口形状和硅基材料性能的约束，孔径在达到最大时便停止横向扩展，之后仅孔的深度发生变化，因此，微柱的形成与孔的大小、孔间距有关。此外，微柱在刻蚀过程中得以保留与微柱内载流子的耗尽有关，即与空间电荷区的大小有关[7]。根据图2和图4，在表1中列出了不同TM AH腐蚀时间t下倒棱台与微柱的几何参数，以讨论微尖的形成几何条件。