《表1 300℃下，不同反应气氛的Bi:YIG薄膜的基本结构参数》

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《氧分压对PLD法生长Bi:YIG薄膜结构性能的影响》

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从表1中发现Bi:YIG薄膜的晶粒尺寸接近理想YIG（43.125 nm），晶格常数总是大于且接近YIG（12.376 nm）的晶格常数，说明整个生长过程中，所淀积的薄膜结晶效果理想，晶格常数稍大是由于Bi3+（0.111 nm）的半径大于Y3+（0.106 nm）的半径，取代后造成晶格膨胀，引起晶格常数增大．