《表1 剥离工艺参数：氮化钽换能元的制备工艺研究》

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《氮化钽换能元的制备工艺研究》

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氮化钽薄膜采用磁控溅射工艺制备，磁控溅射设备选用意大利KENOSISTEC公司KS60VR型。在薄膜沉积过程中，腔体真空度、溅射功率、溅射时间、Ar流量、基底温度等参数都会影响成膜质量。本文选用99.9%的氮化钽作为靶材，腔体真空度为5×10-6Pa，溅射功率为200W，溅射时间为50min，Ar流量为60sccm，基底温度为100℃。氮化钽换能元制备工艺选用剥离工艺（lift-off technology），剥离工艺是指首先在基体上涂胶幵光刻，然后再制备薄膜，在有光刻胶的地斱，薄膜形成在光刻胶上，而没有光刻胶的地斱，薄膜直接形成在基片上，当使用溶剂去除基片上的光刻胶时，不需要的薄膜就随着光刻胶的溶解而脱离在溶剂中，而直接形成在基片上的薄膜部分则被保留下来形成图像[10]。剥离工艺选用RN-246光刻胶，剥离工艺参数如表1所示。