《表1 硅相衍射峰晶面间距值》

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《Al-Si-P中间合金对Al-25%Si合金变质细化机理研究》

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对硅相衍射峰对应的晶面间距进行测定并与理论值比较，如表1所示。可见合金经P变质处理后，衍射晶面间距增大。通常晶面间距的变化是由晶体的点阵常数变化引起，而点阵常数又是晶体结构敏感参数，晶体内部键合能、密度、相变、应力变化及缺陷的形成都将引起其大小变化，范围在10-3 nm。采用最小二乘法[10]计算变质前后Si相的点阵常数，如表2所示[2]。与理论值、未变质处理的点阵常数实测值相比，变质后的硅相点阵常数增大。