《表4 200晶面1级衍射间距》

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《500 kV海缆接头绝缘恢复对XLPE工频击穿和晶相结构的影响》

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单位：nm

根据XRD曲线得到晶体的衍射角，通过式（4）计算110晶面和200晶面1级衍射间距如表3和表4所示，实际晶面间距可以是表3和表4中对应绝缘位置晶面间距的正整数倍。电缆本体110晶面间距随到导体屏蔽距离逐渐变大，即外部绝缘中110晶面晶粒松散，内部绝缘中晶粒紧密，200晶面间距没有明显变化。为方便分析，工厂接头和近接头电缆绝缘相对于电缆本体的晶面距变化率如表5所示。与电缆本体相比，接头外部绝缘晶面间距变化明显，中部和内部绝缘晶面间距变化率较大。工厂接头硫化过程中使近接头电缆绝缘中晶须或缺陷熔融，扩大了晶面间距。