《表1 SmB6纳米线和纳米带薄膜的形貌对比》

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《SmB_6单晶纳米结构的可控制备及场发射特性研究》

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通过改变生长条件，分别在Si衬底上成功生长出六硼化钐（SmB6）单晶纳米带和纳米线结构。图1给出了Sm B6纳米线和纳米带的典型形貌。从图1（a～b）中，发现纳米线的表面十分光滑，而且顶端存在球型的催化剂。纳米线的平均长度约为47.8μm，顶端平均直径为108 nm左右。从图1（c～d）中，可以看到Si衬底上所生长的SmB6纳米带具有均匀的生长形貌。SmB6纳米带的长度分布在10～90μm，厚度则分布在50～150 nm。纳米带的表面也十分光滑，而且从根部到底部的宽度基本相同，平均为1μm左右。同时，还对纳米带和纳米线的生长形貌进行了对比，结果如表1所示。可以看到，纳米线的生长密度为5×107/cm2，要略高于纳米片的生长密度4×107/cm2。图2（a）给出了所制备的纳米线和纳米带样品的XRD图谱。可以看到，纳米线和纳米带薄膜的衍射峰与标准卡片SmB6（JCPDS No.36-1326）的数据吻合，而且不存在任何其他杂峰，表明所制备的两种样品都是SmB6单晶材料。此外，从两种样品薄膜的Raman谱图（图2(b）)中可以看到，SmB6纳米带和纳米线薄膜都存在697，1137和1224 cm–1三个特征峰，分别对应于A1g，Eg和T2g振动模式[16]。其中，T2g和A1g应来自于B-B键的拉伸振动模式，Eg则是来源于B-B-B键角弯曲振动模式。SmB6纳米带和纳米线薄膜尖锐的拉曼峰同样说明所制备的SmB6纳米材料的结晶性良好。