《表2 SmB6纳米材料与其他典型场发射阴极材料的场发射性能对比》

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《SmB_6单晶纳米结构的可控制备及场发射特性研究》

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其中，。实验中，将场发射像平均分成9个区域（n=9），计算得到纳米线和纳米带薄膜的场发射址的分布均匀性分别为75.7%和61.1%。推测其原因很可能是Si衬底纳米线生长形貌的整体分布比纳米带更为均匀。表2对比了一些优良阴极材料的场发射特性。可以看到所制备的SmB6纳米结构的发射特性虽然无法与碳纳米管相比，但是其可以与很多具有优良发射特性的纳米材料相比拟，因此它们在场发射领域具有潜在的应用前景。