《表2 纳米线表面的EDS元素分析结果》

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《单晶α-Si_3N_4纳米线宏量制备研究》

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图3为Si3N4纳米线产物形貌，从图可知，纳米线中夹杂有少量0.5～2.0μm的亚微米颗粒，进一步通过统计多张SEM照片中Si3N4纳米线与颗粒状Si3N4的面积，计算得到产物中纳米线的含量大于95%。单根纳米线长度为1～5μm，直径80～150 nm，长径比为20～50。对比图1（c）可知，图3（a）中纳米线明显变短，这主要是由于后期研磨破碎所致。高倍率透射电镜观察结果（图3 （c）～（d）） 表明，纳米线无固定生长方向。分区衍射结果表明，所制备的纳米线均为单晶结构。此外，纳米线表面光滑，部分纳米线外层有厚度0.5～1.0 nm的无定型层，这种无定型包覆层在氮化硅纳米线的制备中较为常见，一般认为主要是体系中微量的氧导致生成SiO2所致[19-20]。由于含量较少且为无定型状态，在XRD测试结果中未能显示。对纳米线进行EDS元素分析结果也表明，纳米线表面有约3at%的O元素（表2）。