《表4 几种SiC纳米线制备方法的比较》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《SiC纳米线研究进展及其应用现状》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

表4为3种Si C纳米线制备方法的比较，可以看出CVD法生长的Si C纳米线长径比小、结晶率高，但产率较低、工艺过程复杂、可控性差。碳热还原法和溶胶-凝胶法制备Si C纳米线，具有产率高、成本低、工艺选择性多等优势，但碳热还原法制备的纳米线杂质较多，溶胶-凝胶法制备的纳米线易产生缺陷。目前针对Si C纳米线的制备工艺、微观结构、生长机理以及性能等方面的研究还需要继续深入，力求在未来能够实现对Si C纳米线生长的多尺度调控。