《表1 PP-IEGT各层材料热特性参数》

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《压接式IEGT芯片布局对其温升的影响》

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典型的PP-IEGT结构如图1所示，封装内无引线，电气连接通过各金属层组件的压接完成。堆叠结构中，IEGT芯片的上、下2个方向依次放置钼片和电极，各芯片的栅极通过弹簧引针与外部驱动板连接；同时，每个芯片对应1个凸台，缓冲机械压力对栅极引针的冲击；陶瓷外壳将各组件密闭封装。应用中，散热器位于集电极和发射极两侧，提供电气连接和散热（散热通常选用强制水冷方式）。表1为后续有限元分析中各层组件的材料特性参数，PP-IEGT的电极和凸台为金属铜，芯片设置为硅[6]。