《表2 各层组件温度对比》

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《压接式IEGT芯片布局对其温升的影响》

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为进一步分析，提取2种布局下芯片、集电极和发射极的最高温度与最低温度，通过计算温差ΔT以评估器件的温度差异，对比结果如表2所示。由表2可知，与对齐阵列布局相比，交错阵列布局下各层组件的ΔT较小，特别是PP-IEGT芯片，交错阵列布局下结温差是10.5℃，仅为对齐阵列布局的28.1%；2种布局下的发射极ΔT结果近似，分别为4.3℃和4.4℃。此外，交错阵列布局下芯片和集电极之间最高温度的温差为8.9℃，而对齐阵列布局下二者的温差为40.0℃。因此，无论是平面的温度分布还是纵向剖面的温度分布，交错阵列布局都取得了更均衡的结果。