《表1 不同SiNx成膜参数和物理参数的对比》

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《氮化硅膜层对TFT白点色度均匀性的影响及其改善》

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为确保TFT特性的需求，各层SiNx沉积的条件和需要的规格存在很大的差异[8]，表1列举了GI，PVX1和PVX2成膜参数和物理参数（ε介电常数，n折射率，T透过率）的对比，其中GI由高速沉积的和低速沉积两部分膜层组成（以下分别简称为GH和GL）。结合数据可看到PVX1的膜厚最薄、n值最大，但其趋势性最不明显，区间内各THK下u′分布的上限和下限差异不大；而n值较小的GI和PVX2两层对应的SiNx THK和u′可见一定的线性关系，其中PVX2THK趋势性最为明显，而GI剩余厚度的趋势性弱于PVX2THK的主要原因推测是GH和GL存在一定的光学差异：在TFT SD层制作过程中，通常GI剩余厚度集中在320～370nm区间，而沉积的GH厚度为350nm，即当GI剩余厚度大于350nm时，此时的GI剩余厚度很可能是GH和GL的复合膜。由于GH和GL的光学特性本身就存在差异，因此二者在不同厚度组合的下整体光学差异更为明显和不可控[9-10]，这也能解释为何GI剩余厚度越大，u′分布越发散，并且在350nm后愈发明显。