《表7 强干扰（-70 dBm）不同制式语音MOS对比》
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语音MOS：相同距离下，L1800和L900 MHz MOS值最好，900 MHz边缘上行受限，MOS满足3.0的覆盖距离L900优于U900（见表7）。
| 图表编号 | XD00125972400 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.12.20 |
| 作者 | 尹屾、郭宇、解觯、蔡凯 |
| 绘制单位 | 中国联通北京分公司、中国联通北京分公司、中国联通北京分公司、中国联通北京分公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
![表1 不同闭塞制式下青藏铁路格拉段通过能力对比[7]对/d](http://bookimg.mtoou.info/tubiao/gif/TDYS202012013_03800.gif)
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