《表6 高干扰(-85 dBm)不同制式语音MOS对比》
语音MOS:U900边缘上行受限,L900在836 m时发生掉话,MOS满足3.0的覆盖距离L900好于U900,U2100最差;L1800和U2100较早切出不做对比(见表6)。
图表编号 | XD00125972300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.20 |
作者 | 尹屾、郭宇、解觯、蔡凯 |
绘制单位 | 中国联通北京分公司、中国联通北京分公司、中国联通北京分公司、中国联通北京分公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
语音MOS:U900边缘上行受限,L900在836 m时发生掉话,MOS满足3.0的覆盖距离L900好于U900,U2100最差;L1800和U2100较早切出不做对比(见表6)。
图表编号 | XD00125972300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.20 |
作者 | 尹屾、郭宇、解觯、蔡凯 |
绘制单位 | 中国联通北京分公司、中国联通北京分公司、中国联通北京分公司、中国联通北京分公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |