《表4 无干扰(-105 dBm)不同制式语音MOS对比》
语音MOS:相同距离下,L900与L1800的MOS值相当,且均高于U900,U2100最差(见表4)。
图表编号 | XD00125972800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.20 |
作者 | 尹屾、郭宇、解觯、蔡凯 |
绘制单位 | 中国联通北京分公司、中国联通北京分公司、中国联通北京分公司、中国联通北京分公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
语音MOS:相同距离下,L900与L1800的MOS值相当,且均高于U900,U2100最差(见表4)。
图表编号 | XD00125972800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.20 |
作者 | 尹屾、郭宇、解觯、蔡凯 |
绘制单位 | 中国联通北京分公司、中国联通北京分公司、中国联通北京分公司、中国联通北京分公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |