《表5 低干扰（-94 dBm）不同制式语音MOS对比》

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《900 MHz频段部署策略研究与实践》

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语音MOS：相同距离下，L900均高于3G，U2100最差；MOS满足3.0的覆盖距离L900好于U900，U2100最差；L1800和U2100在近点正常切出（见表5）。