《表1 器件性能测试结果：酞菁铜/氟代苝酰亚胺异质结性能研究》

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《酞菁铜/氟代苝酰亚胺异质结性能研究》

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ITO/PEDOT:PSS/CuPc/D25DFPP/Al器件的J-V特性曲线如图8所示，其性能测试结果如表1所示。研究发现，经过120℃下30 min退火处理后，器件的性能大幅度提升，光电转换效率达到0.82%，其开路电压Voc为0.84 V，短路电流密度Jsc为2.69 mA/cm2，填充因子FF为0.36，说明退火处理有利于活性层中形成更好的空间网络互穿结构，并且从异质结的形貌可看出，退火后晶粒长大，这些都有利于光生载流子的分离与和传输，从而提高器件的光电转换效率[20]。