《表1 未镀膜和镀膜的SiC材料循环60 h后抗氧化性能比较》

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《无水柠檬酸辅助合成硅酸锆薄膜及其抗氧化性能研究》

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从表1中可以看出，SiC基底和镀膜SiC在1450°C循环氧化60 h条件下平均单位表面积增重分别为7.2354×10-4 g/cm2、2.2283×10-4 g/cm2，相比于未镀膜SiC，镀膜SiC样品随着高温氧化时间的延长，平均单位表面积增重较少。这主要是因为镀膜SiC材料在高温氧化时，ZrSiO4薄膜阻碍了氧由环境/SiC界面扩散，有效的阻止了氧气与SiC基底的直接接触，同时由于ZrSiO4薄膜的氧扩散系数非常低，氧气无法扩散穿透ZrSiO4薄膜与基底反应，从而达到抗氧化效果[23]。以上抗氧化实验表明，通过最优参数制备的ZrSiO4薄膜具有较优异的高温抗氧化性能，有利于扩大了SiC材料的应用。图8为未镀膜SiC基底和镀有Zr Si O4薄膜的SiC样品在1450°C循环氧化60 h的SEM图，从图中可以看出未镀膜SiC基底表面呈现为凹凸不平，并出现开裂现象，而对于镀膜的SiC表面均相对平整、光滑。这表明正丙醇锆为锆源、TEOS为硅源，采用NHSG结合浸渍-提拉镀膜工艺在SiC基底上制备Zr Si O4薄膜具有优异的抗氧化性能。