《表2 镀膜前后样品的腐蚀电位和腐蚀电流密度》

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《阳极氧化钽酸锂薄膜在NaOH溶液中的腐蚀行为研究》

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图9是Ta（S0）和镀膜（S2）试样的电化学测试谱，包括开路电位和动电位极化曲线。如图9a所示，镀膜样品的电位值随时间基本保持不变（约-0.096 V），整条开路电位曲线远高于Ta基体。这说明在NaOH溶液体系中，镀膜样品相比于基体Ta被腐蚀的概率更小。Ta基体的开路电位曲线先下降，然后趋于稳定（约-0.754 V）。这种下降的趋势是由空气中自然生成的表面致密氧化膜被溶解所致。这种现象在Nb与NaOH溶液腐蚀的过程中有过类似的报道[20]。图9b中两个极化曲线的形状几乎一样，说明这两种样品在金属-溶液界面体系上发生的腐蚀反应过程是相似的。两条曲线的阴、阳极极化曲线都符合经典的塔菲尔行为，可通过线性外推法计算出相应的腐蚀电流密度（见表2）。Ta和镀膜试样的腐蚀电流密度分别是6.4×10-7A·cm-2和4.7×10-9A·cm-2。显然，镀膜样品的腐蚀电流密度比Ta的低了2个数量级，与浸泡腐蚀的数据是吻合的，佐证了镀膜后其耐碱腐蚀性能得以增强。