《表5 Mg2Si、Mg7Si4Bi、Mg8Si3Bi布居电子数Table 5 Mulliken electronic populations in Mg2Si, Mg7Si4Bi and Mg8Si

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《"Bi掺杂Mg_2Si的稳定性,弹性性能和电子结构的第一性原理计算"》

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布居电子数可以判断不同原子之间的电荷转移情况及离子键成键的强弱程度，体系平均每个原子转移电荷数越多，离子键就越强[25]。表5是Mg8Si4、Mg7Si4Bi、Mg8Si3Bi、的Mulliken电子占据的计算结果。在Mg2Si中，电荷由Mg原子转移到Si原子，体系中转移电荷总数约为2.68，每个Mg原子向Si原子转移电荷数量为0.67，体系中平均原子电荷数约为0.447。当Bi原子替换Mg原子时，电荷由Mg原子、Bi原子转移到Si原子，体系中转移电荷总数约为2.47，晶胞中每个Mg原子向Si原子转移电荷数为0.59，每个Bi原子向Si原子转移电荷数为0.80，体系中平均原子电荷数约为0.205；当Bi原子替换面心Si原子时，电荷由Mg原子转移到Si、Bi原子上，体系中转移电荷总数约为2.24，晶胞中每个Mg原子向Bi、Si两种原子转移电荷数为0.56，体系中平均原子电荷数约为0.373。分析Mg8Si4、Mg7Si4Bi、Mg8Si3Bi的Mulliken电子占据情况可知，Mg2Si平均原子转移电荷数最大，Mg2Si呈现出较强的Mg-Si离子键特性。