《表2 椭偏仪测得锗薄膜厚度Tab.2 Thickness of Ge measured by ellipsometer》

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《硅锗界面热应力的控制及晶圆级GeOI的制备》


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为了测量薄膜的实际厚度，选择了晶圆上的9个点，如图9所示，利用椭偏仪测得各位置点的厚度如表2所示。

图表编号XD001099500    严禁用于非法目的
绘制时间2018.09.03
作者张润春、黄凯、林家杰、鄢有泉、伊艾伦、周民、游天桂、欧欣
绘制单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室、中国科学院大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室、中国科学院大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室、中国科学院大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室、中国科学院大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室、中国科学院大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室、中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材
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