《表4 焊料、框架厚度测量结果Tab.4 Thickness measurement results of solder and frameμm》

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《功率VDMOS器件封装热阻及热传导过程分析》

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焊料部分对于器件Rthj-c的影响主要体现在两个方面，一方面芯片压焊（Die Bonding）工艺过程中滴入的焊料量，造成焊锡厚度及延展面积的变化；另一方面是压焊时芯片与焊锡接触造成的空洞大小及比例的变化。如图9所示，采用3D X-ray方法对四种样本分别进行扫描及尺寸的测量，发现四种样本的空洞情况正常，没有过大直径空洞出现，但是如表4所示，发现样本4N65的焊料厚度出现异常，与芯片直接接触处焊料厚度达到117μm，是其他三种样本厚度的两倍以上，芯片周边焊料延展厚度达到200μm以上，与其他三种正常厚度焊料相比，该异常导致焊料热阻Rth（solder）增大约2倍。通过表3所示热阻值可知，器件在Vgs=10 V，Id=3A，Rds（on）=2.08Ω工作条件下，由于焊料厚度的异常增加就会使器件温升多增加7.5℃。因此有效管控Die Bonding工艺中的焊料用量，实时监控焊料厚度对降低器件封装整体的热阻是非常有意义的。