《表3 四种样本Rthj-c各成分热阻Tab.3 Rthj-ccomponents of four samples》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《功率VDMOS器件封装热阻及热传导过程分析》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

℃/W

图7为采用双界面法[10]，即通过在管壳背面和散热板之间加导热硅脂和不加导热硅脂的办法，测试两种界面下的瞬态热阻值，从而得到两个结构函数分离点并确定Rthj-c值，再通过结构函数变换，分析得出热传导经过芯片、焊料、框架和树脂这四种材料热阻值及所占比例，结果如表3所示。