《表1 用于制造霍尔传感器的常用半导体[1]Tab.1 Widely used semiconductor for Hall sensor[1]》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《GaAs基霍尔传感器的研究进展》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

在霍尔传感器的设计过程中，材料的选择需要折中考虑，为了达到尽可能高的霍尔电压，材料的电子迁移率和霍尔系数的乘积应该最大化。然而，在霍尔传感器磁场传感过程中为了实现高线性度和好的温度特性，材料又应该更多地呈现金属性[8]，需要通过重掺杂来增加载流子浓度，这将使霍尔系数降低，导致霍尔电压和灵敏度降低，而且由于载流子的散射，其迁移率会受到重掺杂的影响[8]。所以为了获得较高的霍尔电压，一个比较好的途径是提高材料的载流子迁移率。另一方面，具有高载流子迁移率的半导体材料能够产生大的霍尔角[9]，从而产生明显的霍尔效应，更适合霍尔效应的利用。表1列出了用于制造霍尔传感器的常用半导体的参数（典型值）[1]，表中:n为电子浓度；Eg为禁带宽度。